micro-epsilon/高精度晶圓檢測用白光干涉儀特征？

更新時間：2023-10-31

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干擾米 IMS5420-TH

高精度硅晶圓厚度測量

IMS5420是一種高性能白光干涉儀,用于單晶硅片的非接觸厚度測量。該控制器有一個寬帶超發(fā)光二極管(雪橇)的波長范圍為1100納米。這使得不摻雜、摻雜和高摻雜硅晶圓片的厚度測量僅有一個測量系統(tǒng)。IMS5420的信號穩(wěn)定性小于1納米。厚度可以測量在24毫米的距離

特征

不摻雜、摻雜和高摻雜晶圓的納米精密厚度測量
多峰:獲取最多5層,硅厚度0.05至1.05毫米
1納米z軸的高分辨率
精密晶圓厚度測量
由于硅晶圓在1.100納米波長范圍內(nèi)的光學(xué)透明度,使IMS5420干涉儀能夠精確地檢測到其厚度。在這個波長范圍內(nèi),不摻雜硅和摻雜晶圓都提供了足夠的透明度。因此,晶圓厚度可檢測到1.05毫米以下。氣隙的可測量厚度甚至高達4毫米.
IMS5420干涉儀能夠測量不摻雜、摻雜和高摻雜硅晶圓片的厚度,因此提供了廣泛的應(yīng)用。該晶圓厚度測量系統(tǒng)是一種理想的單晶硅晶圓片的測量,其幾何厚度為500~1050公分米,摻雜量最高可達6米。即使是高摻雜的晶圓,厚度也可測量到0.8毫米。這是因為越來越多的導(dǎo)致透明度下降。
壓痕過程中的精確厚度測量
在晶圓制造中,晶硅錠被切成大約1毫米的薄片。然后,將光盤磨碎,并將其折疊,以獲得所需的厚度和表面光潔度。為了實現(xiàn)高的工藝穩(wěn)定性,干涉儀被用來在磨床和研磨機中進行內(nèi)線厚度測量。由于設(shè)計緊湊,傳感器也可以集成在受限的安裝空間中.厚度值用于機器控制和晶圓的質(zhì)量控制。

模型	測量范圍/ 測量范圍的開始	線性	可測量層數(shù)	應(yīng)用領(lǐng)域
IMS5420-TH24	0.05 ... 1.05 mm (for silicon, n=3.82) 0.2...4毫米(空氣,n=1)/約24毫米,工作范圍約為24毫米。6毫米	< ±100 nm	1層	內(nèi)聯(lián)厚度測量,例如。磨后或拋光后。
IMS5420MP-TH24		單層的?100納米用于額外層的	多達5層	內(nèi)聯(lián)厚度測量,例如。用于涂層后涂層厚度的質(zhì)量控制
IMS5420/IP67-TH24		< ±100 nm	1層	工業(yè)線厚度的測量

現(xiàn)代接口,用于集成到機器和系統(tǒng)
該控制器提供諸如以太網(wǎng)、以太貓和RS422等集成接口,以及額外的編碼器連接、模擬輸出、同步輸入和數(shù)字I/OS。當(dāng)你使用微型EPELIN的接口模塊時,就可以使用普羅菲內(nèi)特和醚頭。這使干涉儀能夠被整合到所有的控制系統(tǒng)和生產(chǎn)程序中

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