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更新時間：2024-08-22 
瀏覽次數(shù)：437德國FITOK原子層沉積隔膜閥ALD系列的介紹
半導體應用-FITOK ALD 系列原子層沉積隔膜閥
簡介
原子層沉積 (Atomic Layer Deposition) 是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。隨著芯片節(jié)點尺寸的不斷縮小，傳統(tǒng)沉積技術已達到其極限，在納米級上沉積超薄層需要原子層沉積 (ALD) 技術，該技術可使材料一次沉積一個原子層。FITOK ALD 系列原子層沉積隔膜閥可應用于原子層沉積工藝，在半導體芯片制造的沉積工藝中輸送精確劑量的氣體，以實現(xiàn)先進技術所需的均勻氣體沉積。
特征
1.高速執(zhí)行下超高循環(huán)壽命
2.響應速度快，可在低于 5 ms 內(nèi)完成閥門開啟和關閉
3.耐熱型延長熱應用場合的執(zhí)行器壽命
4.全封閉閥座設計，具有優(yōu)的越的抗膨脹和防污染能力
5.Elgiloy 合金隔膜提高強度和耐腐蝕，使用壽命長
6.高純級 PFA 閥座，廣泛的化學兼容性
7.極少產(chǎn)生顆粒和死區(qū)，易吹掃
8.提供帶電感式傳感器、電磁閥組件及加熱棒和熱電偶安裝孔的閥門
技術參數(shù)
應用
適用于以下半導體領域的原子層沉積 (ALD)工藝
1.晶體管柵極介電層（high-k）和金屬柵電極（metal gate）
2.微電子機械系統(tǒng)（MEMS）
3.光電子材料和器件
4.集成電路互連線擴散阻擋層
5.平板顯示器（有機光發(fā)射二極管材料，OLED）
6.光學元件
7.太陽能電池
8.各類薄膜（<100 nm）
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